Meyè kalite Silisyòm Carbide/Emery

Silisyòm carbure pwosesis koule: Ultra-wo tanperati anviwònman: Chofaj a plis pase 2500 degre nan plasma oswa arc pou reyalize reyaksyon enstantane. Sentèz rapid: Tan reyaksyon an vin pi kout a plizyè èdtan, epi SiC-wo pite dirèkteman pwodwi.

Avantaj: pwodwi a gen gwo pite (>99.9%) ak estrikti kristal ekselan.

Pa gen okenn pwodwi entèmedyè, ki apwopriye pou preparasyon nano-echèl SiC. Dezavantaj: ekipman chè ak konsomasyon enèji trè wo. Teknoloji a difisil ak difisil pou aplike sou yon gwo echèl. Aplikasyon: High-end jaden tankou semi-conducteurs ak kouch optik. Lòt pwosesis: Depozisyon chimik vapè (CVD): yo itilize pou fim mens oswa yon sèl kristal SiC, pri a trè wo. Sol-gel metòd: apwopriye pou ti pakèt nano-SiC nan laboratwa a, ak endistriyalizasyon se difisil.

A: Achtè voye demann → jwenn sitasyon carbure Silisyòm → konfimasyon lòd → Achtè fè aranjman pou 30% depo → Pwodiksyon te kòmanse lè li resevwa depo → Enspeksyon strik pandan pwodiksyon → Achtè fè aranjman pou peman balans → Anbalaj → Livrezon dapre tèm komès

Baj popilè: meyè kalite Silisyòm carbure/emery, Lachin meyè kalite Silisyòm carbure/emery manifaktirè yo, ke founisè, faktori