Soti nan laboratwa rive nan mache: Vwayaj Konplèks Pwodiksyon SiC
Pandan ke avantaj Silisyòm Carbide yo klè, pwosesis fabrikasyon li yo rete chaje ak defi. Kristal SiC yo grandi nan tanperati ki pi wo a 2,000 degre lè l sèvi avèk teknik tankou transpò vapè fizik (PVT), yon metòd ralanti ak enèji-entansif. Defo tankou micropipes ak dislokasyon souvan fòme pandan kwasans, diminye pwodiksyon wafer ak ogmante depans yo. Koupe ak polisaj SiC wafers mande tou ekipman espesyalize akòz dite materyèl la, dezyèm sèlman dyaman. Obstak sa yo istorikman limite adopsyon SiC nan aplikasyon pou nich, men avansman nan kwasans epitaxial ak eklèsi wafer yo piti piti bese baryè.
Endistri a ap reponn ak inovasyon. Konpayi tankou Wolfspeed ak STMicroelectronics ap envesti nan wafers ki pi gwo dyamèt (egzanp, 200mm) pou diminye depans atravè ekonomi echèl. Nouvo teknik dopaj amelyore pwopriyete elektrik, pandan y ap sistèm kontwòl kalite AI-kondwi detekte domaj byen bonè nan pwodiksyon an. Gouvènman yo ap antre tou; "Chips Act" Inyon Ewopeyen an gen ladan finansman pou rechèch SiC pou diminye depandans sou chèn ekipman pou Silisyòm Azyatik. Kòm echèl pwodiksyon, analis yo prevwa yon kwasans 30% anyèl nan mache SiC a, kondwi pa demann soti nan EVs ak rezo 5G.
Silisyòm carbure ekspòtasyon enfòmasyon
|
Trademark |
ZhenAn |
|
Pwodwi |
Silisyòm Carbide |
|
Pite |
88% 90% 98% |
|
Fòm |
Grit ak poud |
|
Kòd HS |
284920 |
pwodwi zetwal yo
Metal Manganèz elektwolitik se yon sèl metal presipite soti nan minrè Manganèz apre lesivaj asid nan sèl Manganèz ak manje li nan yon selil elektwolitik. Li sanble ak fè, se nan flak iregilye, li difisil ak frajil, gen yon bò klere ak yon bò ki graj, epi li se ajan-blan a mawon. Li se ajan-gri apre yo fin trete nan poud.
Baj popilè: materyèl refractory sic poud nwa Silisyòm carbure, Lachin materyèl refractory sic poud nwa Silisyòm carbure manifaktirè, Swèd, faktori