Segondè nivo metal Silisyòm metal 97

Detèminasyon similtane nan tras ak tras eleman al, CA, Fe, MN, P, Cr, Cu, Ni, Ti, V, Zr, AS ak B inductively makonnen Plasma Spectroscopy Emisyon atomik (ICP-AES) nanSilisyòm metal 97. Yon echantiyon estanda metal Silisyòm, NIST SRM -57 A, te detèmine ak rezilta satisfezan pou detèminasyon an nan echantiyon metal Silisyòm anba kondisyon enstriman optimize ak medya tès yo. Rekiperasyon yo nan tras ak enpurte tras nan echantiyon metal Silisyòm yo te ant 95%~ 105%, ak relatif devyasyon estanda RSD a te mwens pase 5%, ki te fasil yo opere, vit analize, ak rezilta egzat ak serye.

1.Nan sistèm nan microsensor, milti-kouch la fuziblSilisyòm metal 97Se pwosesis entèrkonèksyon itilize simonte lefèt ke lè microsensor a ak chip la IC yo monolitik entegre, koneksyon an aliminyòm pa ka kenbe tèt ak tanperati a rkwir ki wo egzije nan pwosesis la fabrikasyon nan microsensor a, epi yo ka estrikti nan interconnexion dwe trete sou pwosesis la CMOS estanda liy, ki diminye pri a manifakti. Apre kasèt-soti, estrikti a konekte gen karakteristik sa yo nan pwoteksyon etap fò, bon estabilite tèmik, ki ba rezistivite, ak fasil grave sèk, ki ka satisfè kondisyon ki nan gwo-echèl IC milti-kouch konekte. Gwo-echèl dijital-analòg ibrid sikwi a entegre ki konpoze de li konsève pèfòmans li yo apre kondisyon yo rkwir yo se 500 degre 5, h, 600 degre, 30 min, 650 degre 5, ak min, respektivman. Kondisyon ki pi wo yo rkwir satisfè kondisyon ki nan entegrasyon monolitik nan sistèm microsensor ki baze sou ferroelectric fim mens.

Baj popilè: segondè nivo metal Silisyòm metal 97, Lachin wo nivo metal Silisyòm metal 97 Konpayi fabrikasyon, Swèd, faktori