Silisyòm Carbide pou itilize lajè

Silisyòm Carbide pou itilize lajè

Silisyòm Carbide (SiC), ke yo rele tou carborundum, se yon konpoze chimik difisil ki gen Silisyòm ak kabòn. Zhen An ka bay nan pri konpetitif.
Voye rechèch
Dekri teren

 

Silisyòm carbure, ke yo rele tou SiC, se yon materyèl debaz semi-conducteurs ki gen ladann Silisyòm pi ak kabòn pi. Ou ka dope SiC ak nitwojèn oswa fosfò pou fòme yon semi-kondiktè n-tip oswa dope li ak beryllium, bor, aliminyòm, oswa galyòm pou fòme yon semi-conducteurs p-tip. Pandan ke anpil varyete ak pite nan carbure Silisyòm egziste, carbure Silisyòm kalite semi-conducteurs te sèlman sifas pou itilizasyon nan dènye deseni yo.

 

 Silicon carbide

 

avantaj de Silisyòm Carbide

 

Istorikman, manifaktirè yo itilize carbure Silisyòm nan anviwònman tanperati ki wo pou aparèy tankou BEARINGS, konpozan machin chofaj, fren machin, e menm zouti pou file kouto. Nan aplikasyon elektwonik ak semi-conducteurs, avantaj prensipal SiC a se:

Segondè konduktiviti tèmik nan 120-270 W/mK

Ba koyefisyan ekspansyon tèmik 4.0x10^-6/ degre

Segondè dansite aktyèl maksimòm

Twa karakteristik sa yo konbine bay SiC ekselan konduktiviti elektrik, espesyalman lè yo konpare ak Silisyòm, kouzen ki pi popilè SiC la. Karakteristik materyèl SiC a fè li trè avantaje pou aplikasyon pou gwo pouvwa kote segondè aktyèl, tanperati ki wo, ak segondè konduktiviti tèmik yo mande yo.

Nan dènye ane yo, SiC te vin tounen yon jwè kle nan endistri a semi-conducteurs, alimante MOSFET, dyod Schottky, ak modil pouvwa pou itilize nan aplikasyon ki gen gwo pouvwa ak efikasite segondè. Pandan ke pi chè pase MOSFET Silisyòm, ki anjeneral limite a vòltaj pann nan 900V, SiC pèmèt pou papòt vòltaj nan prèske 10kV.

SiC tou gen pèt switch ki ba anpil epi li ka sipòte frekans opere segondè, ki pèmèt li reyalize efikasite kounye a inegalabl, espesyalman nan aplikasyon ki opere nan plis pase 600 vòlt. Avèk aplikasyon apwopriye, aparèy SiC yo ka diminye pèt sistèm konvètisè ak varyateur pa prèske 50%, gwosè pa 300%, ak pri sistèm an jeneral pa 20%. Rediksyon sa a nan gwosè sistèm jeneral bay SiC kapasite pou li trè itil nan aplikasyon pwa ak espas sansib.

 

 Silicon carbide

 

Aplikasyon carbure Silisyòm

 

Mèsi a pwopriyete versatile li yo, carbure Silisyòm se yon materyèl seramik lajman itilize nan anpil aplikasyon pou wo-tanperati ak mete ki reziste, tankou:

Aplikasyon refractory nan pwodiksyon an fè, asye, seramik, metal ki pa fèr, enèji, pwodui chimik, elatriye.

Yon Capteur gaz wo-tanperati nan aparèy nan pwodiksyon chimik ak nan turbine oswa tès motè pou detekte gaz ki ka pran dife ak ki ka pran dife nan anviwònman ki piman bouk, wo-tanperati ak korozivite.

Seramik poud soude

Semiconductors nan elektwonik pou eleman sikwi gras a rezistans wo-vòltaj li yo

 

Kontakte nou

 

ZHENAN INTERNATIOANL CO, LTD

 

Di: +86-19937207162 (WhatsApp)

 

Email: hester@zaferroalloy.com

 

Sit entènèt: www.metal-alloy.com

 

Adrès: Huafu Office Building, Anyang, pwovens Henan, Lachin.

 

Byenveni nan faktori nou yo ak konpayi pou yon vizit!

 

Baj popilè: Silisyòm carbure pou itilizasyon lajè, Lachin carbure Silisyòm pou manifaktirè yo sèvi ak lajè, Swèd, faktori