Segondè nivo pwodwi silisyòm carbure

Tmah ka ogmante siyifikativman potansyèl la Zeta nanSilisyòm carburePoud ak diminye viskozite a nan sispansyon an, kidonk siyifikativman optimize pwopriyete yo reolojik nan sispansyon an. Nan pH sou 1 0, potansyèl la Zeta ogmante pa 11.7 mV ak 21 mV, respektivman, apre yo fin ajoute 0. 3% ak 0.6% TMAH. Dispersant twòp ap ogmante konsantrasyon an ion nan sispansyon an ak mennen nan yon diminisyon nan epesè nan kouch nan doub elektrik, konsa vin pi grav reoloji nan sispansyon an.

1.Yon metòd pou prepare Silisyòm-modifye fim mens sou sinter reyaktifSilisyòm carbure(RB-SIC) Materyèl lè l sèvi avèk yon sal-kalite sous ion ede evaporasyon gwo bout bwa elèktron, ak efè a polisaj nan fim sa yo modifye nan pousantaj depozisyon diferan te etidye. Sifas simen ak mezi refleksyon yo te pote soti sou echantiyon yo. Mikrograf yo nan echantiyon yo montre ke estrikti a nan kouch nan fim Silisyòm gen tandans yo dwe ki lach anba kondisyon an nan ogmante pousantaj depozisyon. Apre tise byen polisaj sinterizasyon reyaktif nan echantiyon carbure Silisyòm kouvwi ak fim Silisyòm-modifye, koyefisyan nan gaye sifas diminye a 1.46%, ak reflèktivite a se tou pre sa yo ki an ki byen poli vè-seramik. Tès la chòk tanperati a ak sifas tès rupture montre ke fim nan Silisyòm pa gen okenn fann ak tonbe, se ki estab nan lanati, e li gen bon konbinezon ak Silisyòm carbure substrate.

Baj popilè: Segondè nivo pwodwi silisyòm carbure, Lachin wo nivo pwodwi Silisyòm carbure manifaktirè, Swèd, faktori