Semiconductor-klas Silisyòm carbure-alimante lavni an
Electronic-grade silicon carbide (6H/4H polytypes) sets new benchmarks with: Resistivity: >1x10⁵ ω · cm, dansite micropipe:<1 cm⁻²
Sifas brutality: ra mwens pase oswa egal a 0.
Aplikasyon modifye
Doped sic: aliminyòm (5x10⁸ atòm/cm³) pou kontak ohmic
Sic substrats epitaksyal: 10-100 μm epesè ki gen mwens pase oswa egal a 5% varyasyon epesè
Quantum-grade SiC: NV center density >500/mm³ pou kèk pwopòsyonèl
Silisyòm carbure paramèt
|
Mak |
Zhenan |
|
Produi |
Silisyòm carbure |
|
Pite |
88% 90% 98% |
|
Fòm |
Grit ak poud |
|
Kòd HS |
284920 |
Kalite lidèchip
Operasyon klas 1 0 0 CleanRooms (ISO 14644-1), nou aplike VDA 6.3 kontwòl pwosesis ak konfòmite semi S2/S8. Patenarya ak Fraunhofer Enstiti, nou te devlope propriétaires Teknoloji Transfòmasyon Defect reyisi 0.02PPB nivo kontaminasyon metalik. Twous chajman wafer nou yo prezante kasèt nitwojèn-sele ak swiv imidite an tan reyèl.
Baj popilè: Silisyòm carbure pou REFRACTORY ABRASIVES MATERIAL, Lachin Silisyòm carbure pou REFRACTORY ABRASIVES MANIFACTURERS MATERIAL, Swèd, faktori