Karakteristik Silisyòm Carbide

Konduktivite tèmik

Konduktivite tèmik se yon mezi ki jan chalè fasil transfere nan yon materyèl. Sa a se yon pwopriyete kle nan semi-conducteurs, kòm li endike nan ki pwen yon materyèl se kapab efektivman gaye chalè (akimilasyon chalè akòz ogmante pouvwa akòz ogmante aktyèl), kidonk ogmante vòltaj li yo ak kapasite aktyèl yo.

Konduktivite tèmik nan Silisyòm se 130 W / (m⋅K), ki se siyifikativman pi ba pase sa yo ki nan carbure Silisyòm (490 W / (m⋅K), ki pèmèt semi-conducteurs carbure Silisyòm gaye chalè pi efikas ak kenbe tèt ak pi wo vòltaj opere.

Ekspansyon tèmik

Ekspansyon tèmik se lè yon materyèl chanje fòm oswa gwosè - men li pa chanje faz - akòz yon chanjman nan tanperati, tankou soti nan yon likid nan yon gaz. Yon egzanp komen se aplike dlo cho nan yon bouchon boutèy kole pou pèmèt li anfle pou ouvèti fasil.

Silisyòm carbure gen yon koyefisyan trè ba ekspansyon tèmik, ki vle di li kenbe fòm li yo, fòs, ak pèfòmans pi byen nan tanperati ki wo (ak vòltaj segondè), ki Silisyòm ka pa kapab fè.

Fòs jaden elektrik

De lòt kle ak pwopriyete semi-conducteurs ki enpòtan yo se espas sa a band nan materyèl la ak fòs maksimòm jaden elektrik la.

Nan yon molekil materyèl semi-conducteurs, elektwon deplase ant diferan gwoup: zòn yo dwe okipe paske pa gen okenn eta enèji ant bann yo. Gap gwoup la (oswa diferans enèji) se enèji ki nesesè pou yon elèktron fè tranzisyon soti nan gwoup valens la nan gwoup la kondiksyon, sa ki pèmèt elektrisite yo dwe fèt. Lè semi-conducteurs resevwa enèji elektrik epi antre nan eta kondiktè sa a, yo montre pwopriyete ibrid izolan/kondiktè inik.

Semi-conducteurs carbure Silisyòm gen yon diferans enèji twa fwa pi wo pase semi-conducteurs ki baze sou Silisyòm, ki pèmèt yo kenbe tèt ak pi gwo fòs jaden elektrik pase Silisyòm, ki pèmèt yo opere nan pi wo vòltaj ak tanperati.

Semi-conducteurs carbure Silisyòm gen yon gwo diferans enèji epi yo ka kenbe tèt ak gaye chalè pi byen pase semi-conducteurs ki baze sou Silisyòm. Yo gen lòt avantaj tou:

Diferans enèji segondè nan carbure Silisyòm trè itil nan aplikasyon pou gwo pouvwa paske diferans enèji ki pi wo a pèmèt pou pi piti aparèy semi-conducteurs ak pi wo pèfòmans operasyonèl.

Pou dyod, yon kalite komen nan aparèy semi-conducteurs, vòltaj la pann se vòltaj la nan ki yon ranvèse aktyèl aplike ka koule nan dyod la. Segondè vòltaj pann nan carbure Silisyòm fè li ideyal pou MOSFET yo.

Sa a mennen nan yon lòt karakteristik semi-kondiktè enpòtan nan MOSFETs: tan rekiperasyon ranvèse. Si MOSFET a antre nan yon eta patipri ranvèse, tan li pran pou retounen nan eta nòmal la ke yo rekonèt kòm tan an rekiperasyon ranvèse. Pandan tan sa a, aktyèl la ka koule nan direksyon opoze a ak sistèm nan fè eksperyans pèt enèji. Nan ka sa yo, aparèy SiC yo gen tan trè vit rekiperasyon ranvèse ak pèt enèji neglijab, ki se pa ka a ak aparèy Si.

Silisyòm carbure pi fleksib pase Silisyòm an tèm de dopaj (ajoute enpurte). Li ka Customized pou fè elektrisite sèlman nan kondisyon espesifik, tankou limyè ki sibi yon entansite espesifik (enfrawouj, vizib, oswa iltravyolèt), ki fè semi-conducteurs carbure Silisyòm pi versatile.