Klasifikasyon pa eleman prensipal
(1) Silisyòm-dominan alyaj (SI> 70%)
Konpozisyon: segondè Silisyòm kontni (70-90%) ak kabòn (10-30%) ak enpurte minè (Fe, AL, CA).
Estrikti: Gen kristal gratis Silisyòm entegre nan yon matris kabòn.
Aplikasyon:
Steelmaking deoxidizers (ranplase ferrosilicon)
Modifikatè alyaj aliminyòm
Precursor pou pwodiksyon wo-pite Silisyòm
(2) alyaj kabòn-dominan (c> 50%)
Konpozisyon: segondè kontni kabòn ak 20-40% Silisyòm.
Estrikti: Graphite oswa amorphe matris kabòn ak gaye Si oswa patikil sic.
Aplikasyon:
Materyèl REFRACTORY (garnitur founo)
Aditif kondiktè (pil, elektwòd)
Karburizatè Foundry
(3) Silisyòm carbure (sik) ki baze sou alyaj
Konpozisyon: prèske stoichiometric sik (70% si, 30% C).
Estrikti: kovalans estokaj kristal sik (-sic oswa -sic polytypes).
Aplikasyon:
Abrasif ak zouti koupe
Semiconductors segondè-tanperati
Seramik zam

Konparezon Klas Komèsyal
| Lèt | SI kontni | C kontni | Karakteristik kle | Itilizasyon primè |
|---|---|---|---|---|
| Sic metalurji | 65-70% | 30-35% | Segondè andirans | Aditif asye |
| Batri-klas Si-C | 40-60% | 40-60% | Nano-pore | Li-ion anod |
| REFRACTORY SIC | 30% | 70% | Tèmik chòk rezistan | Pati gwo founo dife |
| Elektwonik-klas sic | 50% | 50% | Segondè pite | Aparèy pouvwa |

Varyete espesyal fonksyonèl
(1) alyaj si-c poreu
Karakteristik: zòn sifas segondè (50-500 m²/g).
Itilizasyon: adsorption gaz, katalis sipòte.
(2) gradyan Si-C alyaj
Karakteristik: konpozisyon varye piti piti atravè estrikti.
Itilizasyon: penti baryè tèmik, elektwòd korije.
(3) Single-kristal sik
Metòd kwasans: modifye lely, htcvd.
Klas: 4H-SiC, 6H-SiC pou pouvwa elektwonik.
Pwopriyete kle: lajè bandgap (3.2 eV), vòltaj pann segondè.
Baj popilè: Kalite alyaj silikon-kabòn, Lachin kalite Silisyòm-kabòn alyaj manifaktirè, founisè, faktori

