Kle spesifikasyon nan Silisyòm metal 1101
| Eleman | Kontni (%) |
|---|---|
| Silisyòm (SI) | Pi gran pase oswa egal a 99.99 |
| Fè (Fe) | Mwens pase oswa egal a 0. 01 |
| Aliminyòm (AL) | Mwens pase oswa egal a 0. 01 |
| Kalsyòm (CA) | Mwens pase oswa egal a 0. 001 |
| Lòt metal | Mwens pase oswa egal a 0. 005 (total) |
Aplikasyon pou dènye kri
(1) Faktori semi -conducteurs avanse
Feedstock pou 12- pous + 300 mm epitaksyal gato
Esansyèl pou 2nm ak anba Finfet/GAA fabwikasyon chip
Materyèl kritik pou pil memwa 3D NAND
(2) Devlopman teknoloji pwopòsyonèl
Materyèl Sèvi pou Silisyòm vire Qubit Quantum processeurs
Itilize nan rechèch informatique topolojik quantum
Esansyèl pou aplikasyon pwopòsyon dot
(3) Espas-klas fotovoltaik
Core material for multi-junction space solar cells (>30% efikasite)
Itilize nan sistèm pouvwa pwofon pwofonde pouvwa
Pèmèt ultra-lejè ranje fleksib solè
(4) Nikleyè ak aplikasyon defans
Netwon transmutasyon dopan (NTD) Silisyòm
Materyèl Capteur radyasyon-fè tèt di toujou
High-enèji fizik konpozan detektè


Teknoloji pwodiksyon
Pwosesis pou pirifye sis etap:
Plasma arc ak raffinage
K ap flote zòn k ap fonn
Elèktron gwo bout bwa k ap fonn
Distilasyon vakyòm
Czochralski kristal kwasans
Analiz aktivasyon netwon
Cleanroom klas 10 anviwònman pwodiksyon
Segondè ion mas spectrometry (SIMS) kontwòl kalite
Pozisyon mache
Global kapasite: <1,000 MT/year
Pri Range: 50-100 × Silisyòm metalurji estanda
Konsomatè kle yo:
Dirijan fondri semi -conducteurs (TSMC, Samsung, Intel)
Laboratwa rechèch nasyonal
Ajans Espas (NASA, ESA, CNSA)
Baj popilè: Silisyòm Metal Si 1101, Lachin Silisyòm Metal Si 1101 Konpayi fabrikasyon, Swèd, faktori

