Segondè nivo materyèl Silisyòm nitrid

Anba kondisyon aleka, Silisyòm poud ka konplètman nitrid nan pwosesis la SHS jenereSilisyòm nitride, ak pwodwi a gen kontni segondè nitwojèn ak kontni oksijèn ki ba, men li se faz. Nan Silisyòm fume reyaksyon an, yon kantite lajan ki apwopriye nan Si _3 n _4 pitit pitit yo dwe ajoute; Vitès nan pwopagasyon nan vag la ki degaje konbisyon SHS nan Silisyòm ogmante ak ogmantasyon nan presyon nitwojèn ak diminye nan dansite ranpli reyaktif, men li se endepandan de konpozisyon an reyaktif ak dyamèt echantiyon. Tanperati a ki degaje konbisyon vag ogmante ak ogmantasyon nan presyon azòt ak ogmantasyon nan dyamèt echantiyon, ki te endepandan de konpozisyon an nan reactants ak ranpli dansite.

1.Silisyòm nitrideFim yo te prepare lè l sèvi avèk Plasma chimik vapè depo (PECVD) teknoloji anba kondisyon depozisyon diferan (seri tanperati substrate nan 20 ~ 180 degre ak pouvwa RF nan 10 ~ 30W), ak efè yo nan kondisyon depozisyon sou pwopriyete yo ak pwopriyete ki enpèmeyab nan fim silisyòm nitrid yo te etidye. Rezilta eksperimantal yo montre ke ak ogmantasyon nan tanperati substrate, dansite a, endèks refraktif ak Si/N rapò nan fim Silisyòm nitrid ogmante correspondant, pandan y ap pousantaj la depozisyon ak H kontni diminye correspondant. Avèk ogmantasyon nan pouvwa RF, pousantaj la depozisyon, dansite, endèks refraktif ak Si/N rapò nan fim Silisyòm nitrid ogmante correspondant, pandan y ap kontni an H diminye correspondant. Eksperyans nan pèmeyasyon vapè dlo montre ke menm si se tanperati a substra redwi a 50 degre, depoze Silisyòm nitrid fim nan toujou gen bon pèfòmans ki enpèmeyab. Rezilta eksperimantal yo montre ke fim ki ba-tanperati Silisyòm nitrid ka efektivman aplike nan anbalaj la nan aparèy òganik ki emèt limyè (OLEDs).

Baj popilè: segondè nivo materyèl silisyòm nitrid, Lachin wo nivo materyèl Silisyòm nitrid manifaktirè, Swèd, faktori