Pwodwi Deskripsyon
Silisyòm nitrideFim mens gen estrikti dans, gwo fòs ak bon rezistans mete, epi yo ka itilize kòm eleman estriktirèl nan aparèy MEMS. Modil Young la ak dite nan fim sa yo Silisyòm nitrid yo te teste pa metòd la PECVD, ak efè yo nan tanperati depozisyon ak rapò koule gaz reyaksyon sou modil Young la ak dite nan fim sa yo yo te analize. Silisyòm nitrid fim te itilize kòm yon gwo bout bwa sispansyon fabrike RF MEMS switch.
Pwodwi paramèt
| Egalize | N | sizo | Ca min | O min | C min | Al min | Fe Min |
| Si3n 485-99 | 32-39 | 55-60 | 0.25 | 1.5 | 0.3 | 0.25 | 0.25 |
Pwodwi foto koperasyon
1.Silisyòm nitrideSeramik yo wo-tanperati ak segondè-fòs seramik estriktirèl ak kandida devlopman gwo. Li te gen pèfòmans segondè (tankou fòs segondè, bon estabilite chòk tèmik, severite segondè fatig, segondè fòs fleksib nan tanperati chanm, rezistans mete, rezistans oksidasyon, rezistans korozyon, elatriye), e li te lajman itilize nan tout mache nan lavi. Metòd yo preparasyon nan Silisyòm nitrid sitou gen ladan sinterizasyon reyaksyon (RS), presyon cho sinterizasyon (HPS), SINTERING presyon atmosferik (PLS) ak konpwesyon presyon SINTERING (GPS). Kounye a, pwoblèm prensipal la se ke Silisyòm nitrid pwodwi seramik gen ba severite ak gwo pwi. Nan lavni an, li nesesè amelyore fraisage, bòdi a ak pwosesis sinterizasyon ak konpozisyon an nan Silisyòm nitrid ak Silisyòm carbure yo devlope pi bon seramik Silisyòm nitrid.
Baj popilè: wo nivo metal Silisyòm nitrid, Lachin wo nivo metal Silisyòm nitrid manifaktirè, Swèd, faktori