Segondè nivo pwodwi silisyòm nitrid

Pasyèlman kristalize microstructures mozayik Silisyòm yo te jwenn nanSilisyòm nitrideFilms prepare pa LPCVD. Tou depan de kondisyon sa yo ap grandi ak pwosesis, echèl la nan estrikti a chenn nan dè dizèn a dè santèn de nanomètr. Based on the stress test results and transmission electron microscopy observation results of SiNx films grown under different conditions, the genesis of the microstructure of silicon-rich SiNx films and their interaction with the stress in the film were analyzed, and the LPCVD growth process of silicon-rich SiNx films was optimized, which greatly reduced the tensile stress of the film, and the unsupported film-forming area could reach 40mm × 40mm. Baze sou rezilta yo nan etid sa a, yo te kwasans lan kontwole nan manbràn SINX ak detèmine estrès rupture reyalize pa LPCVD.

1.Silisyòm nitrideFim mens (peche _ x) te prepare pa teknoloji ki ba presyon vapè chimik (LPCVD) teknoloji lè l sèvi avèk silan ak amonyak kòm Silisyòm ak sous nitwojèn, respektivman, ak azòt wo-pite kòm konpayi asirans gaz. Klinik kwasans yo nan peche _ x fim yo te etidye pa elipsometri, pwopriyete yo nan peche a _ x fim yo te karakterize pa Fourier enfrawouj spèktroskopi ak X-ray fotoelectron spectroscopy, ak mikwoskopik MOLIDOLOG. Nan menm kondisyon yo nan lòt pwosesis, to kwasans lan nan peche a _ x fim ogmante monotonically ak ogmantasyon nan travay presyon, ak rapò a (r) nan pousantaj la koule nan amonyak silan nan gaz la manje gen yon efè opoze sou to kwasans lan nan fim nan. Kòm tanperati reyaksyon an ogmante, pousantaj la depozisyon ogmante piti piti, rive nan yon maksimòm alantou 840 degre ak Lè sa a, rapidman diminye. Lè R2 yo itilize, yon Si-rich peche _ x Film mens (x1.33) se jwenn. Lè R4 yo itilize, yon peche _ x fim ak tou pre-estoichiometric (z≈1.33) jwenn.

Baj popilè: pwodwi wo nivo Silisyòm nitrid, Lachin wo nivo pwodwi Silisyòm nitrid manifaktirè, Swèd, faktori